2014年03月17日
1月20日，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司在京宣布，經過兩年攻關碳化硅肖特基二極管多個產品已經量產，產品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。這是國內第一次進行碳化硅大功率器件的批量生產，在以美國歐洲日本為主導的第三代半導體領域中打開了關鍵的突破口。
作為最有廣闊發展前景“一種未來的材料”，碳化硅屬於“寬禁帶”的第三代半導體，以此為材料的功率器件具有更低的寄生電阻，更大的電流密度和更快的開關速度，在提高能源利用方面較目前的硅基器件有著無與倫比的優勢，將從本質上提高電力傳送效率和使用效率，可以在高壓、高頻、大電流環境下工作，廣泛應用於航空航天、無線通信和雷達、電力系統、電動汽車、白色家電等領域。泰科天潤本次的技術突破和量產成功對於振興國內相關產業，追趕國際先進技術，實現關鍵器件自主供給，搶佔國內市場具有重要戰略意義。
據泰科天潤總經理陳彤介紹，第三代半導體碳化硅功率器件行業已經被列入國家中長期科學和技術發展規劃。國家863計劃2014年備選項目征集指南中明確指出，開展第三代半導體材料的關鍵技術，器件的制備以及研制電力電子芯片和器件等的科研計劃，用以打破國際上的技術壟斷。(陳杰)